热喷涂零零一
2026-10-17
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揭示 EB-PVD 制备 (La₁₋ₓGdₓ)₂Zr₂O₇ 热障涂层中 La/Gd 取代对相变、晶格缺陷与生长机制的耦合影响

Unveiling the Coupled effects of La/Gd substitution on phase transition, lattice defects, and growth mechanism in (La1-xGdx)2Zr2O7 TBCs by EB-PVD

热障涂层 相邻表面处理工艺,非热喷涂 摘要未给工艺参数
Materials & Design | Elsevier BV |gold
EB-PVD LGZ TBC:Gd取代驱动相变与柱晶生长
AI理解
要点 EB-PVD 三步法制备 LGZ/YSZ 双层 TBC(x=0.1-0.9):Gd 促烧绿石→缺陷萤石相变+晶格收缩,柱状晶尺寸随 Gd 单调增大,La³⁺ 偏析钉扎机制。
能不能用 TBC 材料体系(LGZ 锆酸盐)与热喷涂 APS 共用同源材料,相变/缺陷/柱晶生长机制对热喷涂 TBC 材料设计有直接参考;工艺为 EB-PVD 而非热喷涂,归相邻。
存疑
  • EB-PVD 工艺与热喷涂沉积机理不同
  • 摘要未给具体工艺参数(沉积温度/速率)
  • 偏析机制结论需结合全文数据确认
中文摘要
本研究系统考察了 La/Gd 取代比对三步 EB-PVD 制备的 (La₁₋ₓGdₓ)₂Zr₂O₇(LGZ)热障涂层晶体结构、微观组织演化和元素分布的影响。在 (Ni,Pt)Al 粘结层超合金基体上沉积了五种双层 LGZ/YSZ 涂层(x = 0.1、0.3、0.5、0.7 和 0.9)。涂层表现出由成分驱动的结构转变:随着 Gd 增加,从有序烧绿石转变为无序缺陷萤石相,同时伴随晶格收缩和位错密度变化。柱状晶尺寸随 Gd 含量单调增大,从 La 富集组分(x < 0.5)中具有层状尖端的细柱晶,演变为 Gd 富集组分(x > 0.5)中具有金字塔尖端的粗柱晶。这种生长行为源于 La³⁺ 表面偏析和钉扎抑制了侧向生长,而 Gd 富集组分缺乏该效应,允许正常扩散和竞争生长。此外,元素图谱显示 La 富集涂层中 La 沿生长方向出现显著的层级偏析,这是由于氧化镧蒸气压较高且 La³⁺ 偏析倾向更强,而 Gd 因挥发性适中而分布相对均匀。这些发现建立了全面的加工-结构-成分关系。
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摘要中给出的工艺参数
其他三步EB-PVD;LGZ/YSZ双层;x=0.1/0.3/0.5/0.7/0.9;(Ni,Pt)Al粘结层
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DOI: 10.1016/j.matdes.2026.117286